科技記憶體
長鑫科技投入349億人民幣，研發與封測同步補強DRAM競爭力
結論先講：中國記憶體廠長鑫科技啟動 349億人民幣 投資，重點分成次世代 DRAM 研發與後段測試基地。它不是只追短期漲價，而是要同時解決製程與封測瓶頸。計畫能否在 2029 年前如期落地，仍取決於執行與市場循環。
349億
人民幣總投資
241億
次世代DRAM研發
108億
後段測試基地
[ 3 個快取重點 ]
01
241億元 用於次世代 DRAM 製程研發，預計進行 30 個月。
02
另投 108億元 建晶圓後段測試基地二期，降低外部封測限制。
03
尚未定案：基地預計 2029 年完工，長期產能與市占效果仍待驗證。
01349億元怎麼分
長鑫科技投資配置億人民幣
製程研發
241
後段測試基地
108
02為什麼現在投
AI 與伺服器把龍頭產能拉向 HBM 和 DDR5，通用型 DRAM 出現缺口。長鑫趁價格回升補齊研發與封測，想把週期紅利變成結構性能力。
Bottom line
記憶體景氣會反轉，真正留下來的是製程、良率與後段自主能力。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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