科技半導體
ASML揭露Hyper NA EUV路線，目標10年內把最小圖案縮至5奈米
結論先講：ASML與蔡司工程師提出下一代Hyper NA EUV構想，目標把最小圖案特徵從High NA的約8奈米縮至5奈米。它可沿用現有EUV光源，降低導入門檻，但ASML尚未決定商業化。你現在看到的是技術路線圖，不是已定案設備。
5奈米
Hyper NA目標最小圖案
10年
可能準備就緒時間
0.55
現行High NA數值孔徑
[ 3 個快取重點 ]
01
Hyper NA目標把最小圖案縮至5奈米，較現行High NA再小超過三分之一。
02
新設備可沿用既有EUV光源，蔡司也稱已具備高精度反射鏡製造能力。
03
還沒定案：ASML尚未決定商業化，約10年只是研究時程。
01解析度再往前推
現行NXE系列解析度約13奈米，High NA約8奈米；Hyper NA希望再推進至5奈米，讓部分精細電路少做幾次圖案化。
02真正風險在商業化
研究論文證明的是光學路徑可行性。設備成本、產能、良率與晶圓廠採用時間，仍會決定它能否成為下一代量產工具。
03 技術路線
現在
High NA EUV開始進入先進製程
2028至2030年
三星、SK海力士與台積電規劃陸續導入High NA
約10年內
Hyper NA可能準備就緒，商業化未定
空心點＝研究預期，並非ASML正式出貨承諾。
Bottom line
微影競賽的重點不只看得更細，還要讓晶圓廠付得起、跑得動。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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