科技二維半導體
韓國團隊控制二維晶體成核位置，400 個區域有 397 個長成單晶
結論先講：KAIST 與 TDS Innovation 用氧形成橫向蝕刻通量，把晶體成長起點限制在圖案中心。測試中 400 個位置有 397 個形成單晶，良率達 99.3%。成果接近可擴大量產的方向，但離商用晶片仍有驗證距離。
99.3%
圖案化位置單晶良率
397處
成功長出單晶
2030年前後
團隊商業化目標
[ 3 個快取重點 ]
01
EF-SCN 製程利用氧化物阻障層釋放的氧，抑制中心以外的成核。
02
團隊已做出場效電晶體，載子移動率高於過去選擇性成長文獻紀錄。
03
團隊以 2030 年前後商業化為目標，實際時程仍取決於後續驗證。
01把晶體起點固定下來
二維材料若在同區域多點成核，晶體接合處會形成晶界；控制單一起點，才有機會讓元件表現一致。
01 大數字
99.3%
400 個圖案化位置中，397 處長成單晶。
02量產仍要跨過整合關
單晶良率只是起點，後續還要證明大尺寸均勻性、可靠度與既有矽製程的整合成本。
Bottom line
從能長出晶體到能穩定做晶片，中間仍隔著整條製造驗證鏈。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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