科技半導體
三星德州二廠傳將替 AMD、輝達生產 HBM 基礎晶粒
結論先講：韓媒稱三星德州泰勒市第二座晶圓廠將用 2 奈米製程生產 HBM 基礎晶粒，且多數訂單來自 AMD。廠區預定本月動工，2030 年量產。三星尚未證實客戶與產能安排。
2奈米
傳聞採用的先進製程
25.1萬
平方公尺，二廠面積
2030
年，報導所稱量產時點
[ 3 個快取重點 ]
01
二廠傳將為 AMD 與輝達的 HBM 生產基礎晶粒。
02
廠區面積約 25.1 萬平方公尺，約為一廠的 1.5 倍。
03
還沒定案：報導稱產能已有訂單，但三星婉拒置評。
01基礎晶粒的重要性
HBM 不只需要堆疊記憶體，底部基礎晶粒也負責介面與控制；採用先進製程可改善效能與能耗。
01 報導中的建廠時程
2026 年 11 月
預定正式動工
2029 年 2 月
預計開始安裝設備
2030 年
預計開始量產
全為媒體引述產業消息，三星未確認。
02供應鏈意義
若客戶與時程落實，三星可同時擴大美國製造與 AI 記憶體布局，但建廠到量產仍有多年執行風險。
Bottom line
AI 晶片在地化不只搬移邏輯晶片，記憶體與封裝環節也得一起移動。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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