科技先進封裝
三星研發 6 微米混合鍵合封裝，2027 年初完成 3D Cube-H 設計套件
結論先講：三星把 AI 晶片競爭往先進封裝推進，3D Cube-H 以銅對銅混合鍵合取代凸塊。端子間距縮至 6 微米，目標改善密度、散熱與能耗。首款設計套件仍預計 2027 年初才完成。
6 微米
3D Cube-H 端子間距
25 微米
現行 TC 鍵合至少間距
2027 年初
設計套件預計完成
[ 3 個快取重點 ]
01
銅電極直接接合，省去微型凸塊。
02
應用包括 GPU 垂直堆疊及邏輯晶片疊上 HBM。
03
客戶評估與測試尚未開始，量產時程也未公布。
01封裝為何變成主戰場
晶片微縮愈難，縮短不同晶粒間的距離就成為提高效能與能源效率的另一條路。
鍵合端子間距微米
現行 TC 鍵合
至少 25
3D Cube-H
6
02仍待驗證
更密的連接必須同時通過良率、散熱、可靠度與成本測試。
Bottom line
封裝縮短的每一微米，都必須用量產良率來兌現。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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