科技半導體
ASML 研發 Hyper NA EUV，目標把最小圖案縮至 5 奈米
結論先講：ASML 與蔡司正在研究 Hyper NA EUV，目標把最小圖案特徵縮至 5 奈米。這能減少多重圖案化，但公司尚未決定商業化。你該把十年視為技術路線，而不是交貨承諾。
5 奈米
目標最小圖案特徵
0.55 NA
現行 High NA 數值孔徑
約 10 年
研究估計準備期
[ 3 個快取重點 ]
01
Hyper NA 目標把圖案從 High NA 的約 8 奈米再縮至 5 奈米。
02
技術可沿用既有 EUV 光源，降低更換整套照明架構的壓力。
03
尚未定案：ASML 還沒正式決定投入商業化生產。
01為什麼重要
更細的單次曝光可減少多重圖案化，讓晶圓廠少承擔步驟、時間與良率風險。
01 技術路線
現在
0.33 NA 與 0.55 NA EUV 已形成產品線
研發中
Hyper NA 鎖定 5 奈米圖案特徵
約十年
研究估計技術可準備就緒，商業化未定
空心＝仍待 ASML 商業化決策。
02你要注意的限制
論文證明的是可行方向；設備成本、光學穩定度與客戶導入節奏仍會決定它能否量產。
Bottom line
微影競賽的勝負，不只看解析度，也看晶圓廠願不願意為少幾道步驟買單。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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