科技HBM
SK 海力士把冷卻結構塞進 HBM，瞄準 HBM5 降低三成熱阻
結論先講：SK 海力士正推進 iHBM 開發，把整合式冷卻元件直接放入晶片對晶片物理層。公司預估這種設計可讓熱阻最多降低 30%。技術規劃用在 HBM5，但量產時程仍未公開。
30%
iHBM 預估最高熱阻降幅
HBM5
規劃導入的記憶體世代
MR-MUF
預計延用的封裝技術
[ 3 個快取重點 ]
01
傳統散熱器只能裝在封裝頂部，熱量容易積在垂直堆疊中段。
02
iHBM 在封裝內加入冷卻結構，加快熱量往頂部冷卻板傳導。
03
還沒定案：iHBM 的商業量產時間與客戶導入進度尚未揭露。
01散熱瓶頸移進封裝
HBM 把多層 DRAM 垂直堆疊，效能提高的同時也把熱集中在中間。只從頂部降溫，愈來愈難覆蓋封裝內部熱點。
02 技術路線
現在
HBM4 仍是主要生產重心
下一步
iHBM 整合冷卻元件進入封裝
HBM5
規劃導入 iHBM，量產時間未公布
黑點＝現況，藍點＝開發重點，空心＝尚未實現。
02供應鏈為何較容易接軌
iHBM 預計延用 SK 海力士的 MR-MUF，因此合作體系可能和現有供應鏈相近，降低全面重建封裝流程的成本。
Bottom line
HBM 的下一場競賽不只比頻寬，誰能把熱帶走，誰才有空間繼續往上堆。
- 原始報導
- 科技新報
- 改寫方式
- 快取新聞不轉載原文。我們讀完原始報導後，用自己的話重寫成結論、三個重點與一張圖。數字均取自上列來源，未經我們獨立查證。
- 單位
- 「pt」為百分點，指兩個百分比的差，不是成長率。標示「預估」或斜線紋樣者為推估值，非已實現數字。
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